相变存储器的发展历史
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从20世纪50年代到60年代，斯坦福·沃弗辛斯基博士开始研究非晶材料的性质。
非晶态物质是一种不显示明确有序晶体结构的物质。
1968年，他发现一些玻璃在相变时具有可逆的电阻率变化。
1969年，他发现光存储介质中激光的反射率会随之改变。
1970年，他和妻子艾瑞斯·奥夫辛斯基博士共同成立了一家能量转换设备公司，并公布了他们与英特尔的戈登·摩尔合作的成果。
1970年9月28日发表在《电子学》上的这篇张文描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。
近30年后，能源转换设备公司和微科科技前副主席泰勒·洛维里成立了一家新的子公司——奥沃尼克斯。
2000年2月，Intel和Ovonyx发布了合作与许可协议，这是现代PCM研发的开始。
2000年12月，意法半导体也开始与奥沃尼克斯合作。
到2003年，上述三家公司将集中力量，避免重复基础和竞争性的研发，避免重复延伸领域的研究，以加快这项技术的进步。
2005年，ST和Intel宣布有意成立一家名为Numonyx的新闪存公司。
在1970年第一款产品问世后的几年里，半导体制造工艺取得了长足的进步，推动了半导体相变存储器的发展。
与此同时，相变材料也越来越完善，以满足在可重写CD和DVD中广泛应用的需要。
英特尔开发的相变存储器使用硫族化合物，在元素周期表中含有氧/硫族元素。
Numonyx相变存储器使用一种含有锗、锑和碲的合成材料，称为GST。
现在大部分公司在研发相变存储器的时候都是使用GST或者类似的合成材料。
大多数DVD-RAM是由与Numonyx相变存储器相同的材料制成的。
2011年8月31日，中国首次完成了第一批基于相变存储器的产品芯片。
2015年，《自然光子学》发表了世界上第一个可以长时间存储数据的完全基于光的相变存储器。
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