光刻机是干什么用的 光刻机有几大类
历史探秘者导语：掩模对准器:掩模与光刻胶层直接接触。曝光图案的分辨率与掩模板上的分辨率相同，设备简单。接触类型根据施力方式的不同分为软接触、硬接触和真空接触。近距曝光:掩模板与光刻胶基层之间有一个很小的间隙，间隙约为0 ~ 200 μ m
掩模对准器:掩模与光刻胶层直接接触。曝光图案的分辨率与掩模板上的分辨率相同，设备简单。接触类型根据施力方式的不同分为软接触、硬接触和真空接触。
近距曝光:掩模板与光刻胶基层之间有一个很小的间隙，间隙约为0 ~ 200 μ m，可有效避免直接接触光刻胶对掩模板造成的损伤，使掩模和光刻胶衬底能够持久使用；该口罩使用寿命长，图案缺陷少。邻近效应在现代光刻中被广泛使用。
投影曝光:利用光学系统在掩模和光刻胶之间收集光线，实现曝光。一般来说，掩模的尺寸是待转印图案的4倍。优点:分辨率提高；掩模板更容易制造；减少了缺陷对掩模板的影响。
投影曝光分类
高精度双面:主要用于中小型集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路和电力电子器件的研发和生产。它由高精度专用再现机构、双视场CCD微显示系统、多点光源曝光头、真空空管路系统、气路系统、直连无油真空空泵、防震工作台组成。适用于φ100mm以下、5mm以下各种基板的对准曝光。
高精度单面:为各高校、企业、科研单位研制的高精度光刻机，开发生产中小型集成电路、半导体元器件、光电子器件和声表面波器件。
超分辨率光刻机
2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”通过验收测试。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨率达到22纳米。结合双曝光技术，未来还可以用来制造10纳米的芯片。
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